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    BSH103 参数 Datasheet PDF下载

    BSH103图片预览
    型号： BSH103
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型MOS晶体管 [N-channel enhancement mode MOS transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 12 页 / 100 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BSH103的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSH103的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSH103的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSH103的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BSH103的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BSH103的Datasheet PDF文件第10页浏览型号BSH103的Datasheet PDF文件第11页浏览型号BSH103的Datasheet PDF文件第12页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    N沟道增强模式
    MOS晶体管
    BSH103
    MBK510
    手册， halfpage
    1.2
    手册， halfpage
    (1)
    1.6
    MBK511
    k
    k
    1.2
    0.8
    (2)
    0.8
    0.4
    0.4
    0
    −65
    −15
    35
    85
    135
    185
    TJ （ ° C）
    0
    −65
    −15
    35
    85
    135
    185
    TJ （ ° C）
    V
    gsth
    在T
    j
    k
    =
    ------------------------------------- .
    -
    V
    gsth
    在25℃下
    V
    gsth
    在V
    DS
    = V
    GS
    ; I
    D
    = 1毫安。
    R
    DSON
    在T
    j
    k
    =
    ---------------------------------------- .
    -
    R
    DSON
    在25
    °C
    (1) R
    DSON
    在V
    GS
    = 4.5 V ;我
    D
    = 0.5毫安。
    (2) R
    DSON
    在V
    GS
    = 2.5 V ;我
    D
    = 0.5毫安。
    的栅极 - 源极12所示的温度系数
    阈值电压为结的功能
    温度;典型值。
    的漏源图13温度系数
    导通电阻为结的功能
    温度;典型值。
    1998年02月11日
    8

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