飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
MOS晶体管
特点
•
门槛非常低
•
高速开关
•
无二次击穿
•
直接连接C-MOS , TTL等。
应用
•
电源管理
•
DC到DC转换
•
电池供电应用
•
“胶合逻辑;逻辑块之间和/或接口
周边
•
通用开关。
1
顶视图
2
MAM273
BSH103
钉扎 - SOT23
针
1
2
3
符号
g
s
d
门
来源
漏
描述
手册, halfpage
3
d
g
s
描述
在SOT23封装的N沟道增强型MOS晶体管
SMD封装。
快速参考数据
符号
V
DS
V
SD
V
GS
V
gsth
I
D
R
DSON
P
合计
参数
漏极 - 源极电压(直流)
源极 - 漏极二极管正向电压
栅极 - 源极电压(直流)
门源阈值电压
漏电流( DC )
漏源导通电阻
总功耗
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
s
= 80
°C
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 0.5 A
T
s
= 80
°C
小心
V
GD
= 0; I
S
= 0.5 A
条件
−
−
−
0.4
−
−
−
分钟。
Fig.1简化外形和符号。
马克斯。
30
1
±8
−
0.85
0.5
0.5
V
V
V
V
A
Ω
W
单位
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息,请参阅飞利浦规格: SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
1998年02月11日
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