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    BSH103 参数 Datasheet PDF下载

    BSH103图片预览
    型号： BSH103
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型MOS晶体管 [N-channel enhancement mode MOS transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 12 页 / 100 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BSH103的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSH103的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSH103的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSH103的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSH103的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BSH103的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BSH103的Datasheet PDF文件第10页浏览型号BSH103的Datasheet PDF文件第11页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    N沟道增强模式
    MOS晶体管
    BSH103
    手册， halfpage
    4
    MBK506
    手册， halfpage
    300
    MBK504
    ID
    (A)
    3
    C
    （PF ）
    200
    2
    100
    1
    西塞
    0
    0
    1
    2
    VGS （ V）
    3
    0
    0
    10
    20
    科斯
    CRSS
    VDS （ V）
    30
    V
    DS
    = 10 V ;牛逼
    AMB
    = 25
    °C;
    t
    p
    = 300
    µs; δ
    = 0.
    V
    GS
    = 0; F = 1兆赫;牛逼
    AMB
    = 25
    °C.
    Fig.9
    Fig.8
    传输特性;典型值。
    电容随着漏 - 源的函数
    电压;典型值。
    手册， halfpage
    2
    MBK508
    IS
    (A)
    手册， halfpage
    10
    MBK509
    RDSON
    (Ω)
    (1) (2) (3) (4)
    1.6
    1.2
    (5) (6)
    1
    0.8
    (1)
    (2)
    (3)
    0.4
    0
    10
    −1
    0
    0.4
    0.8
    VSD （V）的
    1.2
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    VGS （ V）
    V
    GD
    = 0.
    (1) T
    AMB
    = 150
    °C.
    (2) T
    AMB
    = 25
    °C.
    (3) T
    AMB
    =
    −65 °C.
    T
    AMB
    = 25
    °C;
    t
    p
    = 300
    µs; δ
    = 0.
    (1) I
    D
    = 0.1 A.
    (2) I
    D
    = 0.22 A.
    (3) I
    D
    = 0.45 A.
    (4) I
    D
    = 0.9 A.
    (5) I
    D
    = 1.8 A.
    (6) I
    D
    = 3.6 A.
    图10源电流作为源极 - 漏极的功能
    二极管的正向电压;典型值。
    图11漏源导通电阻的函数
    的栅极 - 源极电压;典型值。
    1998年02月11日
    7

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