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    2N7000 参数 Datasheet PDF下载

    2N7000图片预览
    型号： 2N7000
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 [N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管开关
    文件页数/大小： 12 页 / 80 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第9页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    N沟道增强型垂直
    D型MOS晶体管
    特征
    T
    j
    = 25
    °C
    除非另有规定ED 。
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    ±I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    参数
    漏源击穿电压
    漏极 - 源极漏电流
    栅极 - 源极漏电流
    门源阈值电压
    漏源导通电阻
    条件
    I
    D
    = 10
    µA
    V
    GS
    = 0
    V
    DS
    = 48 V
    V
    GS
    = 0
    ±V
    GS
    = 15 V
    V
    DS
    = 0
    I
    D
    = 1毫安
    V
    GS
    = V
    DS
    I
    D
    = 500毫安
    V
    GS
    = 10 V
    I
    D
    = 75毫安
    V
    GS
    = 4.5 V
    Y
    fs
    C
    国际空间站
    转移导纳
    输入电容
    I
    D
    = 200毫安
    V
    DS
    = 10 V
    V
    DS
    = 10 V
    V
    GS
    = 0
    F = 1 MHz的
    V
    DS
    = 10 V
    V
    GS
    = 0
    F = 1 MHz的
    V
    DS
    = 10 V
    V
    GS
    = 0
    F = 1 MHz的
    分钟。
    60
    −
    −
    0.8
    −
    −
    100
    −
    2N7000
    典型值。马克斯。单位
    90
    −
    −
    −
    3.5
    −
    200
    25
    −
    1
    10
    3
    5
    5.3
    −
    40
    V
    µA
    nA
    V
    Ω
    Ω
    mS
    pF
    C
    OSS
    输出电容
    −
    22
    30
    pF
    C
    RSS
    反馈电容
    −
    6
    10
    pF
    开关时间（见图
    2
    和
    3)
    t
    on
    开启时间
    I
    D
    = 200毫安
    V
    DD
    = 50 V
    V
    GS
    = 0到10伏
    I
    D
    = 200毫安
    V
    DD
    = 50 V
    V
    GS
    = 0到10伏
    −
    4
    10
    ns
    t
    关闭
    打开-O FF时间
    −
    4
    10
    ns
    1995年4月
    4

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