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    2N7000 参数 Datasheet PDF下载

    2N7000图片预览
    型号： 2N7000
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    内容描述： N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 [N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管开关
    文件页数/大小： 12 页 / 80 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第9页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    N沟道增强型垂直
    D型MOS晶体管
    极限值
    按照绝对最大系统（IEC 134）。
    符号
    V
    DS
    V
    DG
    ±V
    GSO
    I
    D
    I
    DM
    P
    合计
    T
    英镑
    T
    j
    参数
    漏源电压
    漏极 - 栅极电压
    栅源电压
    漏电流
    漏电流
    总功耗
    存储温度范围
    结温
    漏极开路
    DC值
    峰值
    T
    AMB
    = 25
    °C
    条件
    分钟。
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −55
    −
    2N7000
    马克斯。
    60
    60
    40
    280
    1.3
    830
    150
    150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    A
    mW
    °C
    °C
    热阻
    符号
    R
    日J-一
    参数
    从结点到环境
    150
    价值
    K / W
    单位
    1995年4月
    3

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