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2N7000 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N7000
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内容描述: N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 [N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 12 页 / 80 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
2N7000
手册, halfpage
2.4
k
2
MDA695
手册, halfpage
1.2
k
MDA696
1.1
(1)
1.6
(2)
1
1.2
0.9
0.8
0.8
0.4
−50
0
50
100
TJ ( ° C)
150
0.7
−50
0
50
100
TJ ( ° C)
150
(1) I
D
= 500毫安; V
GS
= 10 V.
(2) I
D
= 75毫安; V
GS
= 4.5 V.
Fig.9
的漏源温度系数
阻力;
R
DS
(
on
)
在T
j
k
= ----------------------------------------------
;典型ř
DS ( ON)
.
R
DS
(
on
)
在25
°C
的栅极 - 源极10所示的温度系数
阈值电压;
V
GS
(
th
)
在T
j
-
k
= --------------------------------------------
;典型的V
GS ( TH)
为1 mA 。
V
GS
(
th
)
在25
°C
1995年4月
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