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    2N7000 参数 Datasheet PDF下载

    2N7000图片预览
    型号： 2N7000
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 [N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管开关
    文件页数/大小： 12 页 / 80 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第9页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    N沟道增强型垂直
    D型MOS晶体管
    特点
    •
    低R
    DS （ ON）
    •
    直接连接C-MOS ， TTL ，
    等等
    •
    高速开关
    •
    无二次击穿。
    描述
    N沟道增强模式
    在TO -92垂直的D- MOS晶体管
    变包络线，用于在使用中
    继电器，高速和线
    变压器的驱动程序。
    钉扎 - TO- 92 VARIANT
    手册， halfpage
    2N7000
    快速参考数据
    符号
    V
    DS
    I
    D
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    参数
    漏源电压
    漏电流
    漏源导通电阻
    门源阈值电压
    DC值
    I
    D
    = 500毫安
    V
    GS
    = 10 V
    I
    D
    = 1毫安
    V
    GS
    = V
    DS
    条件
    马克斯。
    60
    280
    5
    3
    单位
    V
    mA
    Ω
    V
    引脚配置
    d
    针
    1
    2
    3
    漏
    门
    描述
    1
    2
    3
    g
    来源
    MAM146
    s
    Fig.1简化外形和符号。
    1995年4月
    2

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