电气特性
5.4.3.4.1 32 kHz 振荡器直流电气特性
表 59. 32 kHz 振荡器直流电气特性
符号
VBAT
RF
说明
最小值
1.71
—
典型值
—
最大值
3.6
—
单位
V
电源电压
内部反馈电阻器
EXTAL32 和 XTAL32 的寄生电容
峰-峰振幅
100
5
MΩ
pF
V
Cpara
—
7
1
Vpp
—
0.6
—
1. 如果一个晶体连同 32 kHz 振荡器使用，EXTAL32 和 XTAL32 引脚应连接到所需的振荡器组件，且不能连接到其他任何器
件上。
5.4.3.4.2 32 kHz 振荡器频率特性
表 60. 32 kHz 振荡器频率特性
符号
fosc_lo
tstart
说明
最小值
—
典型值
32.768
1000
最大值
—
单位
kHz
ms
注释
振荡器晶体
晶体启动时间
—
—
1
2
fec_extal32 外部提供的输入时钟频率
vec_extal32 外部提供的输入时钟幅值
—
32.768
—
—
kHz
mV
700
VBAT
2, 3
1. 为了达到规格要求，务必遵循正确的印制电路板布局流程。
2. 此特性适用于驱动至 EXTAL32 的外部时钟，不适用于任何其他时钟输入。振荡器保持启用状态，而 XTAL32 必须悬空。
3. 指定参数为峰-峰值，VIH 和 VIL 的特性不适用。采用的时钟电压必须在 VSS 至 VBAT 范围内。
5.4.4 存储器和存储器接口
5.4.4.1 flash 电气规格
本节介绍 Flash 存储器模块的电气特性。
5.4.4.1.1 Flash 时序规格 — 编程和擦除
下列规格表示内部电荷泵处于有效状态的时间，不包括命令执行时间。
表 61. NVM 编程/擦除时序规格
符号
说明
最小值
—
典型值
7.5
最大值
18
单位
μs
注释
—
1
thvpgm4
长字编程高电压时间
thversscr 扇区擦除高电压时间
thversall 全部擦除高电压时间
—
13
113
ms
ms
—
104
904
1
1. 最大时间，基于循环周期终止时的期望值。
78
KS22/KS20 Microcontroller, Rev 3, 04/2016
Freescale Semiconductor, Inc.
NXP [ NXP ]
