电气特性
5.4.4.1.2 Flash 时序规格 - 命令
表 62. flash 命令时序规格
符号
说明
最小值
—
典型值
—
最大值
60
单位
μs
注释
1
trd1sec2k “读 1s 区”执行时间（ flash 扇区）
tpgmchk “程序校验”执行时间
—
—
45
μs
1
trdrsrc
tpgm4
tersscr
trd1all
trdonce
“读资源”执行时间
—
—
30
μs
1
“程序长字”执行时间
“擦除 Flash 扇区”执行时间
“读 1s 所有块”执行时间
“读一次”执行时间
—
65
145
114
1.8
30
μs
—
2
—
14
ms
ms
μs
—
—
1
—
—
1
tpgmonce “程序运行一次”执行时间
—
100
175
—
—
μs
—
2
tersall
“擦除所有块”执行时间
—
1300
30
ms
μs
tvfykey
“验证后门访问密钥”执行时间
—
1
1. 假定 Flash 时钟频率为 25 MHz。
2. 擦除参数的最大时间，基于循环周期终止时的期望值。
5.4.4.1.3 Flash 高压电流特性
表 63. Flash 高压电流特性
符号
说明
最小值
典型值
2.5
最大值
单位
mA
IDD_PGM
IDD_ERS
高压 Flash 编程操作过程中的平均增加电流
高压 Flash 擦除操作过程中的平均增加电流
—
—
6.0
4.0
1.5
mA
5.4.4.1.4 可靠性规格
表 64. NVM 可靠性规格
符号
说明
最小值
程序 Flash
典型值 1
最大值
单位
注释
tnvmretp10k 高达 10000 个周期后的数据保留时间
tnvmretp1k 高达 1000 个周期后的数据保留时间
nnvmcycp 周期耐受能力
5
50
—
—
—
年
年
—
—
2
20
100
10 K
50 K
周期
1. 典型数据保留值基于高温和降至 25 °C 恒温配置情况下加速所测得的响应。此项技术不适用工程通告 EB618。工程通告
EB619 中定义的典型耐受能力。
2. 周期耐受能力表示-40 °C ≤ Tj ≤ 125 °C 温度范围内的编程/擦除周期数。
5.4.5 安全性和完整性模块
对于器件的安全性和完整性模块，无规格要求。
KS22/KS20 Microcontroller, Rev 3, 04/2016
79
Freescale Semiconductor, Inc.
NXP [ NXP ]
