电气特性
注释
表 57. 振荡器直流电气规格 (继续)
符号
说明
最小值
典型值
最大值
单位
5
Vpp
峰峰值（振荡器模式）- 低频、低功耗模式
（HGO=0）
—
0.6
VDD
0.6
—
V
峰间振幅（振荡器模式）- 低频、高增益模式
（HGO=1）
—
—
—
—
—
—
V
V
V
峰间振幅（振荡器模式）- 高频、低功耗模式
（HGO=0）
峰间振幅（振荡器模式）- 高频、高增益模式
（HGO=1）
VDD
1. VDD=3.3 V，温度 =25° C
2. 参见晶体或谐振器制造商的建议
3. Cx 和 Cy 可选用集成电容或外部组件。
4. 选择低功耗模式时，RF 为集成电阻，不可从外部连接。
5. EXTAL 和 XTAL 引脚只应连接到所需的振荡器组件，而不得连接到其他任何器件。
5.4.3.3.2 振荡器频率规格
表 58. 振荡器频率规格
符号
说明
最小值
典型值
最大值
单位
注释
fosc_lo
振荡器晶体频率或谐振器频率 - 低频模式
（MCG_C2[RANGE]=00）
32
—
40
kHz
MHz
MHz
fosc_hi_1 振荡器晶体频率或谐振器频率 - 高频模式（低范
围）（MCG_C2[RANGE]=01）
3
8
—
—
8
fosc_hi_2 振荡器晶体频率或谐振器频率 - 高频模式（高范
围）（MCG_C2[RANGE]=1x）
32
fec_extal 输入时钟频率（外部时钟模式）
tdc_extal 输入时钟占空比（外部时钟模式）
—
40
—
—
50
50
60
—
MHz
%
1, 2
3, 4
tcst
晶体启动时间 - 32 kHz 低频、低功耗模式
（HGO=0）
750
ms
晶体启动时间 - 32 kHz 低频、高增益模式
（HGO=1）
—
—
—
250
0.6
1
—
—
—
ms
ms
ms
晶体启动时间 - 8 MHz 高频
（MCG_C2[RANGE]=01）、低功耗模式（HGO=0）
晶体启动时间 - 8 MHz 高频
（MCG_C2[RANGE]=01）、高增益模式（HGO=1）
1. 以外部时钟作为 FLL 或 PLL 的参考时钟时，其他频率限制可能适用。
2. 从 FEI 或 FBI 模式转换到 FBE 模式时，应限制输入时钟频率，这样 FRDIV 对其分频时，可依然保持在 DCO 输入时钟频
率的限值内。
3. 为了达到规格要求，务必遵循正确的印制电路板布局流程。
4. 晶体启动时间定义为从振荡器启动到 MCG_S 寄存器中的 OSCINIT 位置位之间的时间长度。
5.4.3.4 32 kHz 振荡器电气特性
KS22/KS20 Microcontroller, Rev 3, 04/2016
77
Freescale Semiconductor, Inc.
NXP [ NXP ]
