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BSS84 参数 Datasheet PDF下载

BSS84图片预览
型号: BSS84
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内容描述: P沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 [P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 12 页 / 93 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BSS84
handbook, halfpage
VDD =
−40
V
handbook, halfpage
10 %
INPUT
90 %
10 %
0V
−10
V
ID
50
MLD189
OUTPUT
90 %
ton
toff
MBB690
Fig.2 Switching time test circuit.
Fig.3 Input and output waveforms.
handbook, halfpage
300
MLD199
−10
3
handbook, halfpage
ID
(mA)
−10
2
(1)
MLD251
Ptot
(mW)
tp =
10
µs
100
µs
1 ms
200
10 ms
100
−10
P
δ
=
tp
T
DC
100
ms
tp
0
0
50
100
150
200
Tamb (°C)
t
T
−1
−1
−10
VDS (V)
−10
2
δ
= 0.01.
T
amb
= 25
°C.
(1) R
DSon
limitation.
Fig.4 Power derating curve.
Fig.5 DC SOAR.
1997 Jun 18
4