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    BFG591 参数 Datasheet PDF下载

    BFG591图片预览
    型号： BFG591
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    内容描述： NPN 7 GHz的宽带晶体管 [NPN 7 GHz wideband transistor]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
    文件页数/大小： 12 页 / 110 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BFG591的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BFG591的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BFG591的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BFG591的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BFG591的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BFG591的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BFG591的Datasheet PDF文件第10页浏览型号BFG591的Datasheet PDF文件第11页  
    Philips Semiconductors
    Product specification
    NPN 7 GHz wideband transistor
    BFG591
    handbook, halfpage
    −20
    MGC797
    dim
    handbook, halfpage
    −20
    MGC798
    d2
    (dB)
    −30
    (dB)
    −30
    −40
    −40
    −50
    −50
    −60
    −60
    −70
    0
    40
    80
    IC (mA)
    120
    −70
    0
    40
    80
    IC (mA)
    120
    V
    CE
    = 12 V; V
    o
    = 700 mV; f
    (p+q-r)
    = 793.25 MHz.
    V
    CE
    = 12 V; V
    o
    = 316 mV; f
    (p+q)
    = 810 MHz.
    Fig.9
    Intermodulation distortion as a function
    of collector current; typical values.
    Fig.10 Second order Intermodulation distortion as
    a function of collector current; typical values.
    1995 Sep 04
    7

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