BC807-25,115 参数 Datasheet PDF下载

NXP Semiconductors

BC807; BC807W; BC327

45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors

−1

006aaa125

−1

V

CEsat

(V)

−10

−1

006aaa126

V

CEsat

(V)

−10

−1

−10

−2

(1)

(1)

(2)

(3)

(3)

(2)

−10

−2

−10

−1

−1

−10

−10

2

I

C

(mA)

−10

3

−10

−3

−10

−1

−1

−10

−10

2

I

C

(mA)

−10

3

I

C

/I

B

= 10

(1) T

amb

= 150

°C

(2) T

amb

= 25

°C

(3) T

amb

=

−55 °C

I

C

/I

B

= 10

(1) T

amb

= 150

°C

(2) T

amb

= 25

°C

(3) T

amb

=

−55 °C

Fig 7.

Selection -16: Collector-emitter saturation

voltage as a function of collector current;

typical values

−1

V

CEsat

(V)

−10

−1

Fig 8.

Selection- 25: Collector-emitter saturation

voltage as a function of collector current;

typical values

006aaa127

(1)

(2)

−10

−2

(3)

−10

−3

−10

−1

−1

−10

−10

2

I

C

(mA)

−10

3

I

C

/I

B

= 10

(1) T

amb

= 150

°C

(2) T

amb

= 25

°C

(3) T

amb

=

−55 °C

Fig 9.

Selection -40: Collector-emitter saturation voltage as a function of collector current; typical values

BC807_BC807W_BC327_6

© NXP B.V. 2009. All rights reserved.

Product data sheet

Rev. 06 — 17 November 2009

8 of 19