1N5817 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N5817
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内容描述：	肖特基势垒二极管 [Schottky barrier diodes]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	9 页 / 41 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

Schottky barrier diodes

GRAPHICAL DATA

1N5817; 1N5818; 1N5819

handbook, halfpage

MBE634

(A)

Tj = 125 oC

25 oC

0.5

VF (V)

Fig.2 Typical forward voltage.

a=3

PF(AV)

(W)

2.5

1.57

1.42

MBE642

0.5

1.5

IF(AV) (A)

Fig.3

1N817. Maximum values steady state forward power dissipation as a function of the average forward

current; a = I

F(RMS)

F(AV).

1996 May 03

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