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    NVHL020N120SC1 参数 Datasheet PDF下载

    NVHL020N120SC1图片预览
    型号： NVHL020N120SC1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO247−3L]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 301 K
    品牌： ONSEMI [ ONSEMI ]
     浏览型号NVHL020N120SC1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NVHL020N120SC1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NVHL020N120SC1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NVHL020N120SC1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NVHL020N120SC1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NVHL020N120SC1的Datasheet PDF文件第7页  
    NVHL020N120SC1  
    TYPICAL CHARACTERISTICS (continued)  
    2
    1
    50% Duty Cycle  
    20%  
    10%  
    5%  
    0.1  
    2%  
    Notes:  
    (t) = r(t) x R  
    1%  
    P
    DM  
    Z
    ꢁ
    ꢁ
    JC  
    JC  
    0.01  
    Single Pulse  
    R
    = 0.28°C/W  
    ꢁ
    JC  
    t
    Peak T = P  
    x Z  
    (t) + T  
    JC C  
    1
    ꢁ
    J
    DM  
    Duty Cycle, D = t /t  
    t
    1
    2
    2
    0.001  
    0.00001  
    0.0001  
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)  
    Figure 13. Junction−to−Ambient Thermal Response  
    www.onsemi.com  
    5

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