典型性能特征
图 1. 典型输出特性
图 2. 典型输出特性
120
120
20V
15V
TC = 25oC
20V
15V
12V
12V
TC = 150oC
10V
10V
90
60
30
90
60
30
0
VGE = 8V
VGE = 8V
0
0
2
4
6
0
2
4
6
Collector-Emitter Voltage, VCE [V]
Collector-Emitter Voltage, VCE [V]
图 3. 典型饱和电压特性
图 4. 传输特性
120
120
90
60
30
0
Common Emitter
Common Emitter
VGE = 15V
TC = 25oC
TC = 150oC
VCE = 20V
TC = 25oC
TC = 150oC
90
60
30
0
0
2
4
6
8
10
12
0
1
2
3
4
Collector-Emitter Voltage, VCE [V]
Gate-Emitter Voltage,VGE [V]
图 5. 饱和电压与壳温的关系 （在可变电流强度下）
图 6. 饱和电压与 V 的关系
GE
3.0
20
16
12
8
Common Emitter
VGE = 15V
Common Emitter
TC = -40oC
80A
2.5
2.0
40A
40A
80A
1.5
4
IC = 20A
IC = 20A
0
1.0
25
4
8
12
16
20
50
75
100
125
150
Gate-Emitter Voltage, VGE [V]
Case Temperature, TC [oC]
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4
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