封装标识与定购信息
器件编号
顶标
封装
包装方法
卷尺寸
带宽
数量
FGH40N60SMDF FGH40N60SMDF
TO-247
30
塑料管
不适用
不适用
IGBT 的电气特性 TC = 25°C 除非另有说明
符号
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
关断特性
BVCES
VGE = 0 V， IC = 250 A
GE = 0 V， IC = 250 A
600
-
-
-
-
V
集电极 - 发射极击穿电压
BVCES
TJ
击穿温度系数电压
V
0.6
V/°C
ICES
IGES
VCE = VCES， VGE = 0 V
VGE = VGES， VCE = 0 V
-
-
-
-
250
A
集电极切断电流
±400
nA
G-E 漏电流
导通特性
VGE(th)
IC = 250 A， VCE = VGE
3.5
-
4.6
1.9
6.0
2.5
V
V
G-E 阈值电压
I
C = 40 A, VGE = 15 V
IC = 40 A， VGE = 15 V，
C = 150 °C
VCE(sat)
集电极 - 发射极间饱和电压
-
2.1
-
V
T
动态特性
Cies
-
-
-
1880
180
50
-
-
-
pF
pF
pF
输入电容
VCE = 30 V， VGE = 0 V，
f =1 MHz
Coes
输出电容
Cres
反向传输电容
开关特性
td(on)
tr
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
12
20
-
-
ns
ns
导通延迟时间
上升时间
td(off)
tf
92
-
ns
关断延迟时间
下降时间
VCC = 400 V， IC = 40 A，
R
G = 6 ， VGE = 15 V，
13
20
-
ns
感性负载， TC = 25°C
Eon
Eoff
Ets
1.3
0.26
1.56
12
mJ
mJ
mJ
ns
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
-
-
td(on)
tr
td(off)
tf
-
导通延迟时间
上升时间
19
-
ns
97
-
ns
关断延迟时间
下降时间
VCC = 400 V， IC = 40 A，
RG=6 ， VGE = 15 V，
感性负载， TC = 150°C
14
21
-
ns
Eon
Eoff
Ets
2.09
0.44
2.53
119
13
mJ
mJ
mJ
nC
nC
nC
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
-
-
Qg
-
总栅极电荷
V
CE = 400 V， IC = 40 A，
Qge
Qgc
-
栅极－发射极间电荷
栅极－发射极间电荷
VGE = 15 V
58
-
©2013 飞兆半导体公司
2
www.fairchildsemi.com
FGH40N60SMDF 修订版 C1
ONSEMI [ ONSEMI ]
