2013 年 12 月
FGH40N60SMDF
600 V、 40 A 场截止 IGBT
特性
应用
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最大结温：TJ=175°C
正温度系数，易于并联运行
高电流能力
太阳能逆变器、 UPS、电焊机、 PFC、电信、 ESS
概述
低饱和电压：VCE(sat)=1.9 V （典型值） @ IC=40 A
高输入阻抗
飞兆半导体的场截止第 2 代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT
技术，为光伏逆变器、 UPS、焊机、通讯、 ESS 和 PFC 等低导
通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。
快速开关 EOFF =6.5 μJ/A
紧密的参数分布
符合 RoHS 标准
E
C
C
G
G
集电极
(FLANGE)
E
绝对最大额定值
符号
说明
额定值
600
单位
VCES
VGES
V
V
A
A
A
集电极 - 发射极之间电压
栅极－发射极间电压
集电极电流
± 20
80
@ TC = 25°C
@ TC = 100°C
IC
40
集电极电流
ICM (1)
PD
120
集电极脉冲电流
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
@ TC = 100°C
349
174
W
W
最大功耗
最大功耗
TJ
°C
°C
工作结温
-55 至 +175
-55 至 +175
300
Tstg
TL
存储温度范围
用于焊接的最大引脚温度，距离外壳 1/8"，持续 5 秒
°C
注意：
1：可重复的额定值：脉宽受最大结温限制
热性能
符号
参数
典型值
最大值
0.43
单位
°C/W
°C/W
°C/W
RJC(IGBT)
RJC（二极管）
RJA
-
-
-
结点 - 壳体的热阻
结点 - 壳体的热阻
结至环境热阻
1.45
40
©2013 飞兆半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FGH40N60SMDF 修订版 C1
ONSEMI [ ONSEMI ]
