恩智浦半导体
HEF4053B
三重单刀双掷模拟开关
11.动态特性
表8 。
动态特性
T
AMB
= 25
℃; V
SS
= V
EE
= 0 V ;测试电路见
符号
t
PHL
参数
条件
V
DD
5V
10 V
15 V
锡以NYN ，新西兰;看
5V
10 V
15 V
t
PLH
低到高传播延迟NYN ，新西兰到新西兰， NYN ;看
5V
10 V
15 V
锡以NYN ，新西兰;看
5V
10 V
15 V
t
PHZ
HIGH到OFF状态
传播延迟
E至NYN ，新西兰;看
5V
10 V
15 V
t
PZH
OFF状态，以高
传播延迟
E至NYN ，新西兰;看
5V
10 V
15 V
t
PLZ
低到OFF状态
传播延迟
E至NYN ，新西兰;看
5V
10 V
15 V
t
PZL
OFF状态，以LOW
传播延迟
E至NYN ，新西兰;看
5V
10 V
15 V
典型值
10
5
5
200
85
65
15
5
5
275
100
65
200
115
110
260
95
65
200
120
110
280
105
70
最大
20
10
10
400
170
130
30
10
10
555
200
130
400
230
220
525
190
130
400
245
215
565
205
140
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
高到低传输延迟NYN ，新西兰到新西兰， NYN ;看
11.1波形和测试电路
V
DD
NYN或NZ
输入
V
EE
t
PLH
V
O
V
M
SN输入
t
PHL
V
DD
V
M
V
SS
t
PLH
V
O
V
M
NYN或NZ
产量
V
EE
关闭
001aac290
t
PHL
90 %
10 %
开关ON
关闭
001aac291
新西兰或NYN
产量
V
EE
在测量点中给出
在测量点中给出
图12. NYN ，新西兰到新西兰， NYN传播延迟
图13.锡以NYN ，新西兰的传播延迟
HEF4053B
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启10 - 2011年11月17日
8 20
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
