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HEF4053BT652 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HEF4053BT652
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内容描述: 三重单刀双掷模拟开关 [Triple single-pole double-throw analog switch]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 20 页 / 148 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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恩智浦半导体
HEF4053B
三重单刀双掷模拟开关
11.2其他动态参数
表11.附加的动态特性
V
SS
= V
EE
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
C.
符号
THD
参数
总谐波失真
条件
V
DD
典型值
0.25
0.04
0.04
13
40
70
50
最大
-
-
-
-
-
-
-
单位
%
%
%
兆赫
兆赫
兆赫
dB
SEE
R
L
= 10 kΩ的; ç
L
= 15 pF的; 5 V
通道打开; V
I
= 0.5V
DD
(p-p);
10 V
f
i
= 1千赫
15 V
SEE
R
L
= 1 kΩ的; ç
L
= 5 pF的;
通道打开; V
I
= 0.5V
DD
(p-p)
5V
10 V
15 V
10 V
f
(3dB)
3
分贝频率响应
ISO
隔离( OFF状态)
SEE
f
i
= 1 MHz的; ř
L
= 1 k;
C
L
= 5 pF的;信道关;
V
I
= 0.5V
DD
(p-p)
数字输入切换;看
R
L
= 10 kΩ的; ç
L
= 15 pF的;
E或SN = V
DD
(方波)
交换机之间;看
f
i
= 1 MHz的; ř
L
= 1 k;
V
I
= 0.5V
DD
(p-p)
V
ct
串扰电压
10 V
50
-
mV
XTALK
相声
10 V
50
-
dB
[1]
f
i
偏置在0.5伏
DD
; V
I
= 0.5V
DD
(p-p).
表12.动态功耗P
D
P
D
可以从所示的公式进行计算; V
EE
= V
SS
= 0 V ;牛逼
r
= t
f
20纳秒;牛逼
AMB
= 25
C.
符号
P
D
参数
动态功耗
耗散
V
DD
5V
10 V
15 V
典型公式P
D
(W)
P
D
= 2500
f
i
+
(f
o
C
L
)
V
DD2
P
D
= 11500
f
i
+
(f
o
C
L
)
V
DD2
P
D
= 29000
f
i
+
(f
o
C
L
)
V
DD2
其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
DD
在V =电源电压;
(C
L
f
o
) =的输出的总和。
11.2.1测试电路
V
DD
V
DD
V
DD
或V
SS
S1到S3
nZ
E
nY0
nY1
1
2
开关
V
DD
或V
SS
S1到S3
nZ
E
nY0
nY1
1
2
开关
V
SS
fi
V
SS
= V
EE
RL
CL
D
V
SS
fi
V
SS
= V
EE
RL
CL
dB
001aaj904
001aaj905
用于测量总谐波图16.测试电路
失真
用于测量频率响应图17.测试电路
HEF4053B
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产品数据表
启10 - 2011年11月17日
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