恩智浦半导体
HEF4053B
三重单刀双掷模拟开关
7.功能描述
表3中。
输入
E
L
L
H
[1]
功能表
通道上
Sn
L
H
X
NY0到新西兰
NY1到新西兰
关闭
H =高电压电平; L =低电压电平; X =无关。
8.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考V
SS
= 0V （接地） 。
符号
V
DD
V
EE
I
IK
V
I
I
I / O
I
DD
T
英镑
T
AMB
P
合计
参数
电源电压
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输入/输出电流
电源电流
储存温度
环境温度
总功耗
T
AMB
=
40 C
+125
C
DIP16封装
SO16封装
TSSOP16封装
P
[1]
条件
参考V
DD
销锡和E ;
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
DD
+ 0.5 V
民
0.5
18
-
0.5
-
-
65
40
-
-
-
-
最大
+18
+0.5
10
V
DD
+ 0.5
10
50
+150
+125
750
500
500
100
单位
V
V
mA
V
mA
mA
C
C
mW
mW
mW
mW
功耗
每路输出
为了避免绘制V
DD
电流输出端子Z ，当开关电流流入端子Y，横跨双向的电压降的
开关不得超过0.4 V.如果开关电流FL OWS到终端Z，没有V
DD
电流将流出的端子Y，和在此情况下，有
不存在限制开关两端的电压降，但在Y和Z上的电压可能不会超过V
DD
或V
EE
.
对于DIP16封装：P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
C.
对于SO16封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
C.
对于TSSOP16封装：P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
C.
[2]
9.推荐工作条件
表5 。
符号
V
DD
V
I
T
AMB
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
环境温度
在自由空气
条件
SEE
民
3
0
40
典型值
-
-
-
最大
15
V
DD
+125
单位
V
V
C
HEF4053B
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产品数据表
启10 - 2011年11月17日
4 20
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
