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    BSS84/DG 参数 Datasheet PDF下载

    BSS84/DG图片预览
    型号： BSS84/DG
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    内容描述： P沟道增强型垂直DMOS晶体管 [P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 11 页 / 70 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第9页  
    恩智浦半导体
    BSS84
    P沟道增强型垂直DMOS晶体管
    300
    P
    合计
    （ mW）的
    mld199
    200
    100
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    T
    AMB
    (°C)
    图2 。
    功率降额曲线
    6.热特性
    表6 。
    符号
    R
    号（j -a）的
    [1]
    热特性
    参数
    从热阻
    结到环境
    条件
    SEE
    科幻gure 3
    [1]
    民
    -
    典型值
    -
    最大
    500
    单位
    K / W
    在静止空气中安装在PCB上，垂直。
    10
    3
    R
    号（j -a）的
    （K / W）
    10
    2
    δ
    = 0.75
    0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    10
    0.02
    0.01
    P
    mld250
    δ
    =
    t
    p
    T
    1
    0
    t
    p
    T
    t
    10
    −1
    10
    −6
    10
    −5
    10
    −4
    10
    −3
    10
    −2
    10
    −1
    1
    10
    10
    2
    t
    p
    (s)
    10
    3
    图3 。
    从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数
    BSS84_6
    © NXP B.V. 2008保留所有权利。
    产品数据表
    牧师06 - 2008年12月16日
    4 11

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