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    BSS84/DG 参数 Datasheet PDF下载

    BSS84/DG图片预览
    型号： BSS84/DG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型垂直DMOS晶体管 [P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 11 页 / 70 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第9页  
    恩智浦半导体
    BSS84
    P沟道增强型垂直DMOS晶体管
    7.特点
    表7中。
    特征
    T
    j
    = 25
    °
    C除非另有规定ED 。
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS （ TH）
    参数
    条件
    民
    −50
    典型值
    -
    最大
    -
    单位
    V
    静态特性
    漏源击穿我
    D
    =
    −10 µA;
    V
    GS
    = 0 V
    电压
    门极 - 源
    电压
    I
    D
    =
    −1
    毫安; V
    DS
    = V
    GS
    ;
    SEE
    图8
    T
    j
    = 25
    °C
    T
    j
    =
    −55 °C
    I
    DSS
    漏极漏电流
    V
    DS
    =
    −40
    V; V
    GS
    = 0 V
    T
    j
    = 25
    °C
    V
    DS
    =
    −50
    V; V
    GS
    = 0 V
    T
    j
    = 25
    °C
    T
    j
    = 125
    °C
    I
    GSS
    R
    DSON
    栅极漏电流
    漏极 - 源极导通状态
    阻力
    V
    GS
    = +20 V; V
    DS
    = 0 V
    V
    GS
    =
    −20
    V; V
    DS
    = 0 V
    V
    GS
    =
    −10
    V;
    I
    D
    =
    −130
    毫安;
    SEE
    图5
    和
    7
    V
    DS
    =
    −25
    V;
    I
    D
    =
    −130
    mA
    V
    GS
    = 0 V; V
    DS
    =
    −25
    V;
    F = 1兆赫;看
    图9
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    6
    −10
    −60
    100
    100
    10
    µA
    µA
    nA
    nA
    Ω
    -
    -
    −100
    nA
    −0.8
    -
    -
    -
    −2
    −1.8
    V
    V
    动态特性
    |Y
    fs
    |
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    on
    转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输
    电容
    开启时间
    V
    DS
    =
    −40
    V; V
    GS
    = 0 V
    to
    −10
    V ;我
    D
    =
    −200
    毫安;
    SEE
    图10
    和
    11
    V
    DS
    =
    −40
    V;
    V
    GS
    =
    −10
    V到0 V ;
    I
    D
    =
    −200
    毫安;
    SEE
    图10
    和
    11
    50
    -
    -
    -
    -
    -
    25
    15
    3.5
    3
    -
    45
    25
    12
    -
    mS
    pF
    pF
    pF
    ns
    t
    关闭
    打开-O FF时间
    -
    7
    -
    ns
    BSS84_6
    © NXP B.V. 2008保留所有权利。
    产品数据表
    牧师06 - 2008年12月16日
    5 11

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