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BSS84/DG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BSS84/DG
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内容描述: P沟道增强型垂直DMOS晶体管 [P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 70 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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恩智浦半导体
BSS84
P沟道增强型垂直DMOS晶体管
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
T
sp
= 25
°C;
V
GS
=
−10
V;
SEE
T
sp
= 100
°C;
V
GS
=
−10
V
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
[1]
条件
25
°C ≤
T
j
150
°C
-
-
-
-
-
最大
−50
±20
−130
−75
−520
250
+150
+150
单位
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
T
sp
= 25
°C;
t
p
10
µs;
SEE
T
sp
= 25
°C;
SEE
-
−65
−65
装置安装在一个印刷电路板( PCB)上。
−10
3
I
D
(MA )
−10
2
(1)
mld251
t
p
=
10
µs
100
µs
1毫秒
10毫秒
100毫秒
−10
DC
−1
−1
−10
V
DS
(V)
−10
2
T
sp
= 25
°C
(1) R
DSON
局限性
图1 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
BSS84_6
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产品数据表
牧师06 - 2008年12月16日
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