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BCP56图片预览
型号: BCP56
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内容描述: 80 V ,1 A NPN型中功率晶体管 [80 V, 1 A NPN medium power transistors]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 15 页 / 154 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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恩智浦半导体
BC639 ; BCP56 ; BCX56
80 V ,1 A NPN型中功率晶体管
10
3
Z
号(j -a)的
(K / W)
10
2
占空比=
006aaa816
1.0
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
10
1
10
−1
10
−5
10
−4
10
−3
10
−2
10
−1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板,安装板集热6厘米
2
图9.瞬态结点的热阻抗,以室温为脉冲持续时间为SOT89的函数;
典型值
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基极截止
当前
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
条件
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0 A
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 2 V
I
C
= 5毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安
直流电流增益
h
FE
选择-10
h
FE
选择-16
V
CESAT
V
BE
C
c
f
T
[1]
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
100
10
100
单位
nA
µA
nA
I
EBO
h
FE
63
63
40
63
100
-
-
-
-
-
-
-
6
180
-
250
-
160
250
500
1
-
-
mV
V
pF
兆赫
V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
V
CE
= 2 V ;我
C
= 500毫安
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
V
CE
= 5 V ;我
C
= 50毫安;
F = 100 MHz的
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压
集电极电容
跃迁频率
-
-
-
100
脉冲测试:吨
p
300
µs; δ
= 0.02.
BC639_BCP56_BCX56_8
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产品数据表
牧师08 - 2007年6月22日
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