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    BCP56 参数 Datasheet PDF下载

    BCP56图片预览
    型号： BCP56
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    内容描述： 80 V ，1 A NPN型中功率晶体管 [80 V, 1 A NPN medium power transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 15 页 / 154 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BCP56的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BCP56的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BCP56的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BCP56的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BCP56的Datasheet PDF文件第11页浏览型号BCP56的Datasheet PDF文件第12页浏览型号BCP56的Datasheet PDF文件第13页浏览型号BCP56的Datasheet PDF文件第14页  
    恩智浦半导体
    BC639 ; BCP56 ; BCX56
    80 V ，1 A NPN型中功率晶体管
    300
    h
    FE
    (1)
    006aaa080
    1.6
    I
    B
    （毫安）= 50
    I
    C
    (A)
    1.2
    45
    40
    35
    30
    006aaa084
    200
    25
    20
    15
    (2)
    0.8
    10
    5
    100
    (3)
    0.4
    0
    10
    −1
    0
    1
    10
    10
    2
    10
    3
    10
    4
    I
    C
    （MA ）
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2.0
    V
    CE
    (V)
    V
    CE
    = 2 V
    (1) T
    AMB
    = 150
    °C
    (2) T
    AMB
    = 25
    °C
    (3) T
    AMB
    =
    −55 °C
    T
    AMB
    = 25
    °C
    图10.直流电流增益集电器的功能
    电流;典型值
    1.2
    V
    BE
    (V)
    0.8
    (1)
    图11集电极电流的一个函数
    集电极 - 发射极电压;典型值
    1
    006aaa082
    006aaa081
    V
    CESAT
    (V)
    (2)
    10
    −1
    0.4
    (3)
    (1)
    (2)
    (3)
    0
    10
    −1
    1
    10
    10
    2
    10
    3
    10
    4
    10
    −2
    10
    −1
    1
    10
    10
    2
    I
    C
    （MA ）
    10
    3
    10
    4
    I
    C
    （MA ）
    V
    CE
    = 2 V
    (1) T
    AMB
    =
    −55 °C
    (2) T
    AMB
    = 25
    °C
    (3) T
    AMB
    = 150
    °C
    I
    C
    /I
    B
    = 10
    (1) T
    AMB
    = 150
    °C
    (2) T
    AMB
    = 25
    °C
    (3) T
    AMB
    =
    −55 °C
    图12中相应发射极电压作为集电体的功能
    电流;典型值
    图13.集电极 - 发射极饱和电压为
    集电极电流的函数;典型值
    BC639_BCP56_BCX56_8
    © NXP B.V. 2007年保留所有权利。
    产品数据表
    牧师08 - 2007年6月22日
    10 15

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