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A2T09D400-23NR6 参数 Datasheet PDF下载

A2T09D400-23NR6图片预览
型号: A2T09D400-23NR6
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内容描述: [N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 15 页 / 443 K
品牌: NXP [ NXP ]
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TYPICAL CHARACTERISTICS  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
0
V
= 28 Vdc, I  
= 1200 mA, V  
= 1.12 Vdc  
GSB  
DD  
DQA  
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel  
Bandwidth  
–10  
–20  
–30  
–40  
–50  
–60  
836 MHz  
806 MHz  
776 MHz  
G
ps  
836 MHz  
806 MHz  
776 MHz  
776 MHz  
836 MHz  
D
ACPR  
806 MHz  
Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%  
Probability on CCDF  
1
10  
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.  
100  
200  
P
out  
Figure 6. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain  
Efficiency and ACPR versus Output Power  
18  
17.5  
Gain  
17  
16.5  
16  
V
= 28 Vdc  
DD  
P
= 0 dBm  
in  
I
V
= 1200 mA  
= 1.12 Vdc  
DQA  
15.5  
15  
GSB  
600  
650  
700  
750  
800  
850  
900  
950  
1000  
f, FREQUENCY (MHz)  
Figure 7. Broadband Frequency Response  
A2T09D400--23NR6  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor, Inc.  
6