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A2T09D400-23NR6 参数 Datasheet PDF下载

A2T09D400-23NR6图片预览
型号: A2T09D400-23NR6
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内容描述: [N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 15 页 / 443 K
品牌: NXP [ NXP ]
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P1dB – TYPICAL CARRIER LOAD PULL CONTOURS — 790 MHz  
2
1.5  
1
2
1.5  
66  
1
50.5  
64  
0.5  
0
0.5  
E
E
62  
60  
0
51  
–0.5  
–1  
–0.5  
51.5  
58  
53  
52.5  
54  
53.5  
P
P
–1  
56  
52  
–1.5  
–2  
–1.5  
54  
52  
52  
–2  
1
2
3
4
1
2
3
4
0
0
REAL ()  
REAL ()  
Figure 8. P1dB Load Pull Output Power Contours (dBm)  
Figure 9. P1dB Load Pull Efficiency Contours (%)  
2
1.5  
1
2
1.5  
1
–14  
–12  
–16  
0.5  
0.5  
0
–10  
E
E
0
21  
20.5  
21.5  
–0.5  
–1  
–0.5  
–1  
–8  
–6  
P
P
18  
19  
18.5  
20  
19.5  
–1.5  
–2  
–1.5  
–2  
–4  
–2  
17.5  
0
1
2
3
4
1
2
3
4
0
0
REAL ()  
REAL ()  
Figure 10. P1dB Load Pull Gain Contours (dB)  
Figure 11. P1dB Load Pull AM/PM Contours ()  
NOTE:  
P
E
= Maximum Output Power  
= Maximum Drain Efficiency  
Gain  
Drain Efficiency  
Linearity  
Output Power  
A2T09D400--23NR6  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor, Inc.  
9