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A2I25H060NR1 参数 Datasheet PDF下载

A2I25H060NR1图片预览
型号: A2I25H060NR1
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内容描述: [RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers]
分类和应用:
文件页数/大小: 31 页 / 1058 K
品牌: NXP [ NXP ]
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P3dB – TYPICAL CARRIER SIDE LOAD PULL CONTOURS — 2300 MHz  
5
0
5
42  
41  
41.5  
41.5  
41  
0
–5  
54  
–5  
–10  
–15  
–10  
–15  
E
E
58  
P
P
56  
54  
45  
44.5  
43.5  
43  
41.5  
44  
–20  
–25  
–20  
–25  
52  
42  
44  
42  
46  
50  
48  
42.5  
10  
15  
20  
REAL ()  
30  
35  
10  
15  
20  
REAL ()  
30  
35  
5
25  
5
25  
Figure 34. P3dB Load Pull Output Power Contours (dBm)  
Figure 35. P3dB Load Pull Efficiency Contours (%)  
5
0
5
–16  
–14  
–12  
0
–5  
–5  
–10  
–15  
–10  
–15  
E
E
P
P
–10  
–8  
30  
29  
28.5  
29.5  
27  
–6  
28  
27.5  
–20  
–25  
–20  
–25  
–4  
0
–2  
26.5  
10  
15  
20  
30  
35  
10  
15  
20  
30  
35  
5
25  
5
25  
REAL ()  
REAL ()  
Figure 36. P3dB Load Pull Gain Contours (dB)  
Figure 37. P3dB Load Pull AM/PM Contours ()  
NOTE:  
P
E
= Maximum Output Power  
= Maximum Drain Efficiency  
Gain  
Drain Efficiency  
Linearity  
Output Power  
A2I25H060NR1 A2I25H060GNR1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor, Inc.  
21  
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