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A2I25H060NR1 参数 Datasheet PDF下载

A2I25H060NR1图片预览
型号: A2I25H060NR1
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内容描述: [RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers]
分类和应用:
文件页数/大小: 31 页 / 1058 K
品牌: NXP [ NXP ]
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P1dB – TYPICAL CARRIER SIDE LOAD PULL CONTOURS — 2300 MHz  
5
0
5
41.5  
52  
41  
41  
0
40.5  
42  
–5  
–5  
–10  
–15  
42.5  
–10  
–15  
E
E
P
P
58  
52  
44  
43.5  
42.5  
56  
43  
54  
–20  
–25  
–20  
–25  
44  
50  
42  
46  
41.5  
41  
48  
10  
15  
20  
REAL ()  
30  
35  
10  
15  
20  
REAL ()  
30  
35  
5
25  
5
25  
42.5  
Figure 30. P1dB Load Pull Output Power Contours (dBm)  
Figure 31. P1dB Load Pull Efficiency Contours (%)  
5
0
5
–12  
–14  
–10  
0
–5  
–5  
–8  
–10  
–10  
–15  
E
E
P
P
–4  
–15  
–6  
32  
31  
30.5  
30  
29  
–20  
–25  
–20  
–25  
–2  
29.5  
31.5  
0
10  
15  
20  
REAL ()  
30  
35  
10  
15  
20  
REAL ()  
30  
35  
5
25  
5
25  
Figure 32. P1dB Load Pull Gain Contours (dB)  
Figure 33. P1dB Load Pull AM/PM Contours ()  
NOTE:  
P
E
= Maximum Output Power  
= Maximum Drain Efficiency  
Gain  
Drain Efficiency  
Linearity  
Output Power  
A2I25H060NR1 A2I25H060GNR1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor, Inc.  
20  
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