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A2I25H060NR1 参数 Datasheet PDF下载

A2I25H060NR1图片预览
型号: A2I25H060NR1
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内容描述: [RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers]
分类和应用:
文件页数/大小: 31 页 / 1058 K
品牌: NXP [ NXP ]
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P3dB – TYPICAL CARRIER LOAD PULL CONTOURS — 2590 MHz  
5
0
5
42  
54  
41.5  
50  
42.5  
0
43  
43.5  
E
E
–5  
–5  
60  
58  
44  
45  
–10  
–10  
P
P
56  
54  
52  
50  
–15  
–20  
–15  
–20  
48  
46  
44  
44.5  
18  
18  
8
10  
12  
20  
22  
24  
8
10  
12  
20  
22  
24  
6
14  
16  
6
14  
16  
REAL ()  
REAL ()  
Figure 15. P3dB Load Pull Efficiency Contours (%)  
Figure 14. P3dB Load Pull Output Power Contours (dBm)  
5
5
–20  
–12  
–18  
0
0
31  
–16  
–10  
E
E
–5  
–5  
–10  
–15  
–20  
–14  
–14  
30.5  
–10  
P
P
30  
–15  
29.5  
28  
29  
28.5  
–8  
–20  
18  
18  
8
10  
12  
20  
22  
24  
8
10  
12  
20  
22  
24  
6
14  
16  
6
14  
16  
REAL ()  
REAL ()  
Figure 16. P3dB Load Pull Gain Contours (dB)  
Figure 17. P3dB Load Pull AM/PM Contours ()  
NOTE:  
P
E
= Maximum Output Power  
= Maximum Drain Efficiency  
Gain  
Drain Efficiency  
Linearity  
Output Power  
A2I25H060NR1 A2I25H060GNR1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor, Inc.  
13  
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