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A2I25H060NR1 参数 Datasheet PDF下载

A2I25H060NR1图片预览
型号: A2I25H060NR1
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内容描述: [RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers]
分类和应用:
文件页数/大小: 31 页 / 1058 K
品牌: NXP [ NXP ]
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P1dB – TYPICAL PEAKING LOAD PULL CONTOURS — 2590 MHz  
0
–2  
–4  
–6  
–8  
0
44.5  
44  
45  
54  
43.5  
–2  
–4  
–6  
–8  
45.5  
58  
54  
E
E
60  
46  
56  
P
P
46  
47  
–10  
–12  
–10  
–12  
52  
46  
45.5  
50  
46.5  
48  
3
4
6
7
8
9
10  
11  
12  
3
4
6
7
8
9
10  
11  
12  
2
5
2
5
REAL ()  
REAL ()  
Figure 19. P1dB Load Pull Efficiency Contours (%)  
Figure 18. P1dB Load Pull Output Power Contours (dBm)  
0
0
22  
21.5  
21  
–46  
–44  
–42  
–2  
–4  
–2  
–4  
–6  
–8  
–40  
–38  
E
E
–36  
–34  
–6  
23.5  
P
P
–32  
–30  
–8  
23  
21.5  
–10  
–10  
–12  
22  
21  
22.5  
–12  
3
4
6
7
8
9
10  
11  
12  
3
4
6
7
8
9
10  
11  
12  
2
5
2
5
REAL ()  
REAL ()  
Figure 20. P1dB Load Pull Gain Contours (dB)  
Figure 21. P1dB Load Pull AM/PM Contours ()  
NOTE:  
P
E
= Maximum Output Power  
= Maximum Drain Efficiency  
Gain  
Drain Efficiency  
Linearity  
Output Power  
A2I25H060NR1 A2I25H060GNR1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor, Inc.  
14  
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