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    JS28F256J3F105 参数 Datasheet PDF下载

    JS28F256J3F105图片预览
    型号： JS28F256J3F105
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Flash, 16MX16, 105ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56]
    分类和应用： 光电二极管内存集成电路闪存
    文件页数/大小： 66 页 / 711 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号JS28F256J3F105的Datasheet PDF文件第41页浏览型号JS28F256J3F105的Datasheet PDF文件第42页浏览型号JS28F256J3F105的Datasheet PDF文件第43页浏览型号JS28F256J3F105的Datasheet PDF文件第44页浏览型号JS28F256J3F105的Datasheet PDF文件第46页浏览型号JS28F256J3F105的Datasheet PDF文件第47页浏览型号JS28F256J3F105的Datasheet PDF文件第48页浏览型号JS28F256J3F105的Datasheet PDF文件第49页  
    ®
    Numonyx™ StrataFlash Embedded Memory (J3-65nm)  
    Figure 14: 16-Word Asynchronous Page Mode Read  
    R1  
    R2  
    A[MAX:5][A]  
    A[4:1][A]  
    R3  
    R4  
    CEx[E]  
    OE#[G]  
    R8  
    WE#[W]  
    R7  
    R10  
    R15  
    R10  
    R6  
    R9  
    1
    2
    15  
    16  
    DQ[15:0][Q]  
    RP#[P]  
    R5  
    BYTE#  
    Notes:  
    1.  
    CE low is defined as the falling edge of CE0, CE1, or CE2 that enables the device. CE high is defined at the rising edge of  
    CE0, CE1, or CE2 that disables the device.  
    In this diagram, BYTE# is asserted high.  
    X
    X
    2.  
    December 2008  
    319942-02  
    Datasheet  
    45  

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