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    UPD43256BCZ-70LL 参数 Datasheet PDF下载

    UPD43256BCZ-70LL图片预览
    型号： UPD43256BCZ-70LL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K - BIT的CMOS静态RAM的32K字×8位 [256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 24 页 / 174 K
    品牌： NEC [ NEC ]
     浏览型号UPD43256BCZ-70LL的Datasheet PDF文件第10页浏览型号UPD43256BCZ-70LL的Datasheet PDF文件第11页浏览型号UPD43256BCZ-70LL的Datasheet PDF文件第12页浏览型号UPD43256BCZ-70LL的Datasheet PDF文件第13页浏览型号UPD43256BCZ-70LL的Datasheet PDF文件第15页浏览型号UPD43256BCZ-70LL的Datasheet PDF文件第16页浏览型号UPD43256BCZ-70LL的Datasheet PDF文件第17页浏览型号UPD43256BCZ-70LL的Datasheet PDF文件第18页  
    µPD43256B  
    Write Cycle Timing Chart 2 (CS Controlled)  
    t
    WC  
    Address (Input)  
    t
    AS  
    t
    CW  
    CS (Input)  
    WE (Input)  
    t
    t
    AW  
    WP  
    t
    WR  
    t
    DW  
    t
    DH  
    High impedance  
    High  
    impedance  
    Data In  
    I/O (Input)  
    Cautions 1. CS or WE should be fixed to high level during address transition.  
    2. When I/O pins are in the output state, do not apply to the I/O pins signals that are opposite  
    in phase with output signals.  
    Remark Write operation is done during the overlap time of a low level CS and a low level WE.  
    14  

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