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N25Q512A13GF840E 参数 Datasheet PDF下载

N25Q512A13GF840E图片预览
型号: N25Q512A13GF840E
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内容描述: 美光的串行NOR闪存3V ,多个I / O, 4KB扇区擦除N25Q512A [Micron Serial NOR Flash Memory 3V, Multiple I/O, 4KB Sector Erase N25Q512A]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 91 页 / 1214 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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512Mb, Multiple I/O Serial Flash Memory  
WRITE Operations  
Figure 30: WRITE ENABLE and WRITE DISABLE Command Sequence  
Extended  
0
1
2
3
4
5
6
7
C
S#  
Command Bits  
LSB  
DQ[0]  
0
0
0
0
0
1
1
0
MSB  
DQ1  
High-Z  
Dual  
0
1
2
3
C
S#  
Command Bits  
LSB  
DQ[0]  
DQ[1]  
0
0
0
1
0
0
0
1
MSB  
Quad  
0
1
C
S#  
Command Bits  
LSB  
DQ[0]  
DQ[1]  
DQ[2]  
DQ[3]  
0
0
0
0
0
1
1
0
Don’t Care  
MSB  
1. Shown here is the WRITE ENABLE command code, which is 06h or 0000 0110 binary. The  
WRITE DISABLE command sequence is identical, except the WRITE DISABLE command  
code is 04h or 0000 0100 binary.  
Note:  
PDF: 09005aef84752721  
n25q_512mb_1ce_3V_65nm.pdf - Rev. O 05/13 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
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