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MT12D436M-XX 参数 Datasheet PDF下载

MT12D436M-XX图片预览
型号: MT12D436M-XX
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内容描述: DRAM模块 [DRAM MODULE]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 17 页 / 311 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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OBSOLETE  
4, 8 MEG x 36  
PARITY DRAM SIMMs  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
MT24D836 (32MB)  
DQ1  
DQ10  
DQ18  
DQ9  
D
Q
D
Q
DQ1 - 4  
WE#  
DQ1 - 4  
WE#  
DQ1 - 4  
DQ1 - 4  
WE#  
WE#  
WE#  
WE#  
U1  
U2  
U17  
U5  
U6  
U18  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
CAS0#  
RAS0#  
A0-A10  
A0-A10  
A0-A10  
A0-A10  
A0-A10  
OE#  
A0-A10  
OE#  
OE#  
OE#  
11  
11  
11  
11  
11  
11  
CAS1#  
DQ19  
DQ27  
DQ28  
DQ36  
D
Q
D
Q
DQ1 - 4  
WE#  
DQ1 - 4  
WE#  
DQ1 - 4  
WE#  
DQ1 - 4  
WE#  
WE#  
WE#  
WE#  
CAS2#  
RAS2#  
U3  
U4  
U19  
U7  
U8  
U20  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
A0-A10  
A0-A10  
A0-A10  
A0-A10  
A0-A10  
OE#  
A0-A10  
OE#  
OE#  
OE#  
11  
11  
11  
11  
11  
11  
CAS3#  
A0-A10  
DQ1  
DQ10  
DQ18  
DQ9  
D
Q
D
Q
DQ1 - 4  
WE#  
DQ1 - 4  
WE#  
DQ1 - 4  
DQ1 - 4  
WE#  
WE#  
WE#  
WE#  
U15  
U16  
U11  
U12  
U22  
U21  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
RAS1#  
A0-A10  
A0-A10  
A0-A10  
A0-A10  
A0-A10  
OE#  
A0-A10  
OE#  
OE#  
OE#  
11  
11  
11  
11  
11  
11  
DQ19  
DQ27  
DQ28  
DQ36  
D
Q
D
Q
DQ1 - 4  
WE#  
DQ1 - 4  
WE#  
DQ1 - 4  
WE#  
DQ1 - 4  
WE#  
WE#  
WE#  
U13  
U14  
U9  
U10  
U24  
U23  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
CAS#  
RAS#  
RAS3#  
A0-A10  
A0-A10  
A0-A10  
A0-A10  
A0-A10  
OE#  
A0-A10  
OE#  
OE#  
OE#  
11  
11  
11  
11  
11  
11  
V
CC  
SS  
U1-U24  
U1-U24  
U1-U16 = 4 Meg x 4 DRAMs  
U17-U24 = 4 Meg x 1 DRAMs  
V
4, 8 Meg x 36 Parity DRAM SIMMs  
DM45.pm5 – Rev. 3/97  
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
1997, Micron Technology, Inc.  
3
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