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    JS28F256P30B 参数 Datasheet PDF下载

    JS28F256P30B图片预览
    型号： JS28F256P30B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ） [Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)]
    分类和应用： 闪存存储
    文件页数/大小： 98 页 / 1366 K
    品牌： MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
     浏览型号JS28F256P30B的Datasheet PDF文件第15页浏览型号JS28F256P30B的Datasheet PDF文件第16页浏览型号JS28F256P30B的Datasheet PDF文件第17页浏览型号JS28F256P30B的Datasheet PDF文件第18页浏览型号JS28F256P30B的Datasheet PDF文件第20页浏览型号JS28F256P30B的Datasheet PDF文件第21页浏览型号JS28F256P30B的Datasheet PDF文件第22页浏览型号JS28F256P30B的Datasheet PDF文件第23页  
    256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm  
    Pinouts and Ballouts  
    1. A1 is the least significant address bit.  
    Notes:  
    2. A24 is valid for 256Mb densities and above; otherwise, it is a no connect (NC).  
    3. A25 is valid for 512Mb densities; otherwise, it is a no connect.  
    4. One dimple on package denotes A1 pin, which will always be in the upper-left corner of  
    the package, in reference to the product mark.  
    PDF: 09005aef84566799  
    p30_65nm_MLC_256Mb-512mb.pdf - Rev. C 12/13 EN  
    Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
    19  
    © 2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  

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