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PIC18F4431-I/PT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PIC18F4431-I/PT
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内容描述: 28 /40/ 44引脚增强型闪存微控制器采用纳瓦技术,高性能PWM和A / D [28/40/44-Pin Enhanced Flash Microcontrollers with nanoWatt Technology, High-Performance PWM and A/D]
分类和应用: 闪存微控制器
文件页数/大小: 392 页 / 3127 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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PIC18F2331/2431/4331/4431
22.5
休眠期间的工作
22.7
应用
当启用时, LVD电路继续工作
在睡眠。如果设备电压穿越之旅
点, LVDIF位被置器件将唤醒
从休眠中。器件将继续执行从
中断向量地址,如果全局中断,
启用。
示出了一个可能的应用电压曲线
(通常为电池) 。随着时间的推移,该装置电压
减小。当器件电压等于电压
V
A
, LVD逻辑产生一个中断。这发生在
时间t
A
。该应用软件,然后有时间,
直到器件电压不再在有效的操作
范围内,执行“日常任务”,并关闭
关闭系统。点电压,V
B
是最小
有效工作电压规范。这发生在
时间t
B
。的差值,T
B
– T
A
是总的时间为
关机。
22.6
复位的影响
器件复位强制所有寄存器进入复位状态。
这迫使LVD模块被关断。
图22-3 :
典型的低电压检测应用
电压
V
A
V
B
图例:
V
A
= LVD跳变点
V
B
=最低有效设备
工作电压
T
A
时间
T
B
表22-1 :
名字
LVDCON
INTCON
IPR2
PIR2
PIE2
具有低电压相关的寄存器检测模块
第7位
第6位
PEIE / GIEL
第5位
IRVST
TMR0IE
4位
LVDEN
INT0IE
EEIP
EEIF
EEIE
第3位
LVDL3
RBIE
第2位
LVDL2
TMR0IF
LVDIP
LVDIF
LVDIE
第1位
LVDL1
INT0IF
位0
LVDL0
RBIF
CCP2IP
CCP2IF
CCP2IE
GIE / GIEH
OSCFIP
OSCFIF
OSCFIE
图例:
- =未用,读为“0” 。阴影单元未使用LVD模块。
2010 Microchip的技术公司
DS39616D第261页