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PIC18F4431-I/PT 参数 Datasheet PDF下载

PIC18F4431-I/PT图片预览
型号: PIC18F4431-I/PT
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内容描述: 28 /40/ 44引脚增强型闪存微控制器采用纳瓦技术,高性能PWM和A / D [28/40/44-Pin Enhanced Flash Microcontrollers with nanoWatt Technology, High-Performance PWM and A/D]
分类和应用: 闪存微控制器
文件页数/大小: 392 页 / 3127 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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PIC18F2331/2431/4331/4431
表23-1 :
文件名
从300000h CONFIG1L
300001h CONFIG1H
300002h CONFIG2L
300003h CONFIG2H
300004h CONFIG3L
300006h CONFIG4L
300007h CONFIG4H
300008h CONFIG5L
300009h CONFIG5H
30000Ah CONFIG6L
30000Bh CONFIG6H
30000Ch CONFIG7L
30000Dh CONFIG7H
3FFFFEh DEVID1
图例:
注1 :
2:
(2)
配置位和设备ID
第7位
IESO
(1)
第6位
FCMEN
CPB
WRTB
EBTRB
DEV1
DEV9
第5位
WINEN
T1OSCMX
WRTC
DEV0
DEV8
4位
WDTPS3
HPOL
EXCLKMX
REV4
DEV7
(1)
第3位
FOSC3
BORV1
WDTPS2
LPOL
PWM4MX
CP3
(1)
(1)
第2位
FOSC2
BORV0
PWMPIN
SSPMX
LVP
CP2
(1)
(1)
第1位
FOSC1
BOREN
CP1
WRT1
EBTR1
REV1
DEV4
位0
FOSC0
PWRTEN
WDTEN
FLTAMX
CP0
WRT0
EBTR0
REV0
DEV3
(1)
默认的/
未列入计划
价值
---- ----
11-- 1111
---- 1111
--11 1111
--11 11--
1--1 11-1
1--- -1-1
---- ----
---- 1111
11-- ----
---- 1111
111- ----
---- 1111
-1-- ----
xxxx xxxx
(2)
0000 0101
WDTPS1 WDTPS0
300005h CONFIG3H MCLRE
CPD
DEBUG
STVREN
WRT3
EBTR3
(1)
REV3
DEV6
(1)
WRT2
EBTR2
(1)
REV2
DEV5
(1)
WRTD
DEV2
DEV10
3FFFFFh DEVID2
(2)
x
=未知,
u
=不变,
-
=未实现。阴影单元未实现,读为“0” 。
未实现的PIC18F2331 / 4331装置;保持该位设置。
SEE
对于DEVID1值。 DEVID寄存器是只读的,不能由用户进行编程。
寄存器23-1 :
R/P-1
IESO
第7位
图例:
R =可读位
CONFIG1H :配置寄存器1高(字节地址300001h )
U-0
U-0
R/P-1
FOSC3
R/P-1
FOSC2
R/P-1
FOSC1
R/P-1
FOSC0
位0
R/P-1
FCMEN
P =可编程位
U =未实现位,读为'0'
u =编程后状态不变
-n =值时,器件编程
第7位
IESO :
内部外部切换位
1
=内部外部切换模式启用
0
=内部外部切换模式被禁用
FCMEN :
故障保护时钟监视器使能位
1
=故障保护时钟监视器启用
0
=故障保护时钟监视器禁用
未实现:
读为' 0 '
FOSC<3 : 0> :
振荡器选择位
11xx
=外部RC振荡器,在RA6 CLKO功能
1001
=内部振荡器模块,对RA7 RA6和端口功能CLKO功能( INTIO1 )
1000
=内部振荡器模块,对RA7 RA6和端口功能端口功能( INTIO2 )
0111
=外部RC振荡器, RA6上的端口功能
0110
= HS振荡器, PLL使能(时钟频率= 4× FOSC1 )
0101
= EC振荡器, RA6上的端口功能( ECIO )
0100
= EC振荡器,在RA6 CLKO功能( EC)
0010
= HS振荡器
0001
= XT振荡器
0000
= LP振荡器
第6位
位5-4
3-0位
DS39616D页264
2010 Microchip的技术公司