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PIC18F4431-I/PT 参数 Datasheet PDF下载

PIC18F4431-I/PT图片预览
型号: PIC18F4431-I/PT
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内容描述: 28 /40/ 44引脚增强型闪存微控制器采用纳瓦技术,高性能PWM和A / D [28/40/44-Pin Enhanced Flash Microcontrollers with nanoWatt Technology, High-Performance PWM and A/D]
分类和应用: 闪存微控制器
文件页数/大小: 392 页 / 3127 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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PIC18F2331/2431/4331/4431
22.0
低电压检测( LVD )
PIC18F2331 / 2431 / 4431分之4331器件具有一个低
电压检测模块( LVD ) ,一个可编程电路
这使得用户能够指定一个器件电压跳闸
点。如果设备出现下面的游览
触发点,中断标志位被置位。如果中断是
启用后,程序执行将跳转到该间
中断向量地址,然后软件可以响应
到该中断。
低电压检测控制寄存器(寄存器
完全控制了LVD模块的操作。
这使得该电路被“关闭”,由用户
在软件控制下,最大限度地减少了电流
消费设备。
为LVD模块的方框图中示出
该模块通过设置LVDEN位使能,但
该电路需要一些时间来每次稳定
它被启用。 IRVST位只读位使用
以指示当电路是稳定的。 CAN模块
只产生一个中断后的电路是稳定的,并
在IRVST位。该模块用于监视滴
V
DD
低于预定的设定点。
寄存器22-1 :
U-0
第7位
图例:
R =可读位
上电复位时-n =价值
位7-6
第5位
LVDCON :低压检测控制寄存器
U-0
R-0
IRVST
R/W-0
LVDEN
R/W-0
LVDL3
(1)
R/W-1
LVDL2
(1)
R/W-0
LVDL1
(1)
R/W-1
LVDL0
(1)
位0
W =可写位
' 1 ' =置
U =未实现位,读为'0'
' 0 ' =清零
X =未知
未实现:
读为' 0 '
IRVST :
内部参考电压稳定标志位
1
=表示低电压检测逻辑将产生中断标志在指定的电压
范围
0
=表示低电压检测逻辑在指定不会产生中断标志
电压范围和LVD中断不应该启用
LVDEN :
低电压检测电源使能位
1
=使能LVD ,上电LVD电路
0
=禁止LVD , LVD下来电路权力
LVDL<3 : 0> :
低电压检测限制位
(1)
1111
=外部模拟输入时(输入来自LVDIN引脚)
1110
=最大值设置
.
.
.
0010
=最小设定
0001
•保留
0000
•保留
LVDL<3 : 0>位模式,这导致下面的设备的有效工作电压跳闸点,不
测试。
4位
3-0位
注1 :
2010 Microchip的技术公司
DS39616D第257页