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MRF151G 参数 Datasheet PDF下载

MRF151G图片预览
型号: MRF151G
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内容描述: N沟道宽带射频功率MOSFET [N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管射频放大器局域网
文件页数/大小: 9 页 / 250 K
品牌: TE [ TE CONNECTIVITY ]
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TYPICAL CHARACTERISTICS  
30  
350  
300  
250  
200  
150  
175 MHz  
f = 150 MHz  
200 MHz  
25  
20  
15  
10  
5
V
DD  
= 50 V  
I
DQ  
= 2 x 250 mA  
V
I
DQ  
= 50 V  
= 2 x 250 mA  
100  
50  
0
DD  
P
out  
= 150 W  
2
5
10  
30  
100  
200  
0
5
10  
f, FREQUENCY (MHz)  
P , INPUT POWER (WATTS)  
in  
Figure 7. Output Power versus Input Power  
Figure 8. Power Gain versus Frequency  
f = 175 MHz  
150  
125  
INPUT, Z  
(GATE TO GATE)  
in  
100  
Z = 10 Ω  
o
30  
150  
125  
100  
f = 175 MHz  
OUTPUT, Z  
(DRAIN TO DRAIN)  
*
OL  
30  
Z * = Conjugate of the optimum load impedance  
OL  
Z * = into which the device output operates at a  
OL  
Z * = given output power, voltage and frequency.  
OL  
Figure 9. Input and Output Impedance  
REV 9  
4
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