IS61LV25616AL
读周期2号
(1,3)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OHA
t
HZOE
t
美国能源部
CE
t
LZOE
t
LZCE
t
ACE
t
HZCE
LB ， UB
D
OUT
高-Z
t
LZB
t
BA
t
RC
数据有效
t
HZB
供应
当前
V
DD
t
PU
50%
t
PD
50%
I
CC
I
SB
UB_CEDR2.eps
注意事项：
1.
我们是高一读周期。
2.该装置被连续地选择。 OE ， CE， UB或LB = V
IL
.
3.地址是有效的之前或暗合了CE LOW过渡。
写周期开关特性
(1,3)
（以上经营范围）
符号
t
wc
t
SCE
t
aw
t
Ha
t
sa
t
PWB
t
PWE
1
t
PWE
2
t
sD
t
HD
t
HZWE
(2)
t
LZWE
(2)
参数
写周期时间
CE撰写完
地址建立时间撰写完
从写端地址保持
地址建立时间
LB ， UB有效到结束写入的
WE脉冲宽度
WE脉冲宽度（ OE = LOW ）
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z输出
我们前高后低-Z输出
-10
分钟。马克斯。
10 —
8 —
8 —
0 —
0 —
8 —
8 —
10 —
6 —
0 —
— 5
2 —
-12
分钟。马克斯。
12 —
8 —
8 —
0 —
0 —
8 —
8 —
12 —
6 —
0 —
— 6
2 —
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
n
s
ns
ns
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0V输入脉冲电平
to 3.0V and output loading specified in Figure 1.
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
3.内部写入时间由CE LOW和UB或LB和WE低的重叠定义。所有信号都必须在有效
各国开始写，但任何一个可以变为无效，终止写入。数据输入建立时间和保持时间
被引用到该终止写信号的上升沿或下降沿。
8
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牧师˚F
12/15/2011
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
