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    IS61LV25616AL-10TLI 参数 Datasheet PDF下载

    IS61LV25616AL-10TLI图片预览
    型号： IS61LV25616AL-10TLI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K ×16高速异步静态CMOS与3.3V供电的RAM [256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 16 页 / 382 K
    品牌： ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
     浏览型号IS61LV25616AL-10TLI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS61LV25616AL-10TLI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IS61LV25616AL-10TLI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IS61LV25616AL-10TLI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IS61LV25616AL-10TLI的Datasheet PDF文件第11页浏览型号IS61LV25616AL-10TLI的Datasheet PDF文件第12页浏览型号IS61LV25616AL-10TLI的Datasheet PDF文件第13页浏览型号IS61LV25616AL-10TLI的Datasheet PDF文件第14页  
    IS61LV25616AL
    AC波形
    写周期NO 。 3
    （我们控制。
    OE
    为低电平时写周期）
    (1)
    t
    WC
    地址
    OE
    CE
    低
    有效的地址
    t
    HA
    低
    t
    AW
    WE
    t
    PWE2
    t
    PBW
    t
    SA
    UB ， LB
    t
    HZWE
    D
    OUT
    数据中，未定义
    高-Z
    t
    LZWE
    t
    SD
    D
    IN
    t
    HD
    数据
    IN
    有效
    UB_CEWR3.eps
    写周期NO 。 4
    （磅，
    UB
    控制，后端到回写）
    (1,3)
    t
    WC
    地址
    地址1
    t
    WC
    地址2
    OE
    t
    SA
    CE
    低
    WE
    t
    HA
    t
    SA
    t
    PBW
    t
    PBW
    WORD 2
    t
    HA
    UB ， LB
    WORD 1
    t
    HZWE
    D
    OUT
    数据中，未定义
    高-Z
    t
    LZWE
    t
    HD
    数据
    IN
    有效
    t
    SD
    D
    IN
    t
    SD
    数据
    IN
    有效
    t
    HD
    UB_CEWR4.eps
    注意事项：
    1.内部写入时间由行政长官=低重叠定义，
    UB和/或LB =低，和WE =低。所有信号都必须在
    有效状态开始写，但任何可以拉高终止写入。该
    t
    sa
    ,
    t
    Ha
    ,
    t
    sD
    和
    t
    HD
    时序参考
    到终止写信号的上升沿或下降沿。
    2.测试与OE为高电平至少我们以前为4 ns = LOW放置在I / O处于高阻抗状态。
    3.
    我们可能会为低电平，保持在许多地址周期和LB ， UB引脚可用于控制写入功能。
    10
    集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
    1-800-379-4774
    牧师˚F
    12/15/2011

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