IS61LV25616AL
电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号
I
cc
I
sb
参数
V
DD
工作动态
电源电流
TTL待机电流
( TTL输入)
TTL待机电流
( TTL输入)
CMOS待机
电流( CMOS输入)
测试条件
V
DD
=
最大,
COM 。
I
OUT
= 0
毫安,女= F
最大
IND 。
V
DD
=
最大,
COM 。
V
In
= V
IH
or≥V
IL
IND 。
CE ≥ V
IH
, f = f
最大
.
V
DD
=
最大,
V
In
= V
IH
or≥V
IL
CE ≥ V
IH
, f = 0
V
DD
=
最大,
CE ≥ V
DD
– 0.2V,
V
In
≥
V
DD
– 0.2V,
or
V
In
≤
0.2V,
f = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-10
分钟。马克斯。
— 100
— 110
—
50
— 55
—
—
—
—
20
25
15
20
-12
分钟。马克斯。
— 90
— 100
—
45
— 50
—
—
—
—
20
25
15
20
单位
mA
mA
I
sb
1
I
sb
2
mA
mA
注意:
1. At f = f
最大
, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.
在发展中阴影区域的产品
电容
(1)
符号
c
In
c
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
In
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
牧师˚F
12/15/2011
5