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    IS61LV25616AL-10TLI 参数 Datasheet PDF下载

    IS61LV25616AL-10TLI图片预览
    型号： IS61LV25616AL-10TLI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K ×16高速异步静态CMOS与3.3V供电的RAM [256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 16 页 / 382 K
    品牌： ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
     浏览型号IS61LV25616AL-10TLI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IS61LV25616AL-10TLI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS61LV25616AL-10TLI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS61LV25616AL-10TLI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS61LV25616AL-10TLI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS61LV25616AL-10TLI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IS61LV25616AL-10TLI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IS61LV25616AL-10TLI的Datasheet PDF文件第9页  
    IS61LV25616AL
    绝对最大额定值
    (1)
    符号参数
    V
    TERM
    t
    英镑
    P
    t
    相对于GND端子电压
    储存温度
    功耗
    价值
    –0.5 to V
    DD
    +0.5
    –65 to +150
    1.0
    单位
    V
    °C
    W
    注意：
    1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
    永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
    该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
    本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
    长时间条件下可能会影响其可靠性。
    工作范围
    V
    DD
    范围
    广告
    产业
    环境温度
    0°C to +70°C
    –40°C to +85°C
    10ns
    3.3V +10%, -5%
    3.3V +10%, -5%
    12ns
    3.3V + 10%
    3.3V + 10%
    DC电气特性
    （以上经营范围）
    符号
    V
    oH
    V
    oL
    V
    IH
    V
    IL
    I
    LI
    I
    Lo
    参数
    输出高电压
    输出低电压
    输入高电压
    输入低电压
    (1)
    输入漏
    输出泄漏
    测试条件
    V
    DD
    =
    分钟，我
    oH
    =
    –4.0 mA
    V
    DD
    =
    分钟，我
    oL
    =
    8.0 mA
    GND ≤ V
    In
    ≤
    V
    DD
    GND ≤ V
    OUT
    ≤
    V
    DD
    输出禁用
    COM 。
    IND 。
    COM 。
    IND 。
    分钟。
    2.4
    —
    2.0
    –0.3
    –2
    –5
    –2
    –5
    马克斯。
    —
    0.4
    V
    DD
    + 0.3
    0.8
    2
    5
    2
    5
    单位
    V
    V
    V
    V
    µA
    µA
    注意事项：
    1.
    V
    IL
    （分） = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
    4
    集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
    1-800-379-4774
    牧师˚F
    12/15/2011

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