IS61LV25616AL
256K ×16高速异步
采用3.3V电源CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间：
— 10, 12 ns
• CMOS低功耗运行
•低待机功耗：
— Less than 5 m
A
（典型值） CMOS待机
• TTL兼容接口电平
•单3.3V电源
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
•三态输出
•为上下字节的数据控制
•工业应用温度
•无铅可
2011年12月
static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. It is
使用制造
ISSI
的高性能CMOS技
术。这再加上创新的高度可靠的工艺
电路设计技术，产量高性能和低
电力消耗装置。
什么时候？
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功率耗散可以重新
duced下来CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入， CE和OE 。该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
The IS61LV25616AL is packaged in the JEDEC standard
44引脚400密耳SOJ ， 44引脚TSOP II型， 44引脚LQFP
and 48-pin Mini BGA (8mm x 10mm).
描述
该
ISSI
IS61LV25616AL is a high-speed, 4,194,304-bit
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×16
存储阵列
VDD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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牧师˚F
12/15/2011
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
