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IC42S16400F-7TL 参数 Datasheet PDF下载

IC42S16400F-7TL图片预览
型号: IC42S16400F-7TL
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内容描述: 1梅格位×16位× 4银行( 64兆位)同步动态RAM [1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 55 页 / 822 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS42S16400F
IC42S16400F
BURST TERMINATE
自动预充电不只是在整版适用
突发模式。当读取或写入完成
爆,银行/行预充电所解决的问题是
自动地执行。
该BURST TERMINATE命令强行终止
突发读取并通过截取或者写操作
固定长度或整页突发和最近
注册读或写命令前BURST
终止。
自动刷新命令
此命令执行自动刷新操作。
该行地址和银行进行自动刷新都
此操作过程中生成的。在规定期限(T
rc
)是
所需的单个刷新操作,并且没有其他的COM
mands可以在此期间被执行。此命令是
executed at least 4096 times every 64ms. During an AUTO
刷新命令,地址位“不关心” 。这
命令对应于CBR自动刷新。
COMMAND INHIBIT
COMMAND INHIBIT防止新的命令被
执行。在正在进行的操作不会受到影响,除了
从在CLK信号是否启用
无操作
CS为低,中的NOP指令防止不必要的
从在空闲或正在等待注册的命令
状态。
自刷新
在自刷新操作时,该行地址,以
被刷新,银行和刷新间隔是gen-
erated自动在内部。自刷新即可
用于保留在SDRAM中的数据,无需外部时钟,
即使该系统的其余部分被断电。在自
被丢弃的CKE引脚开始刷新操作
从高电平变为低电平。在自刷新操作
所有其他输入到SDRAM成为“不关心” 。该
设备必须保持在自刷新模式时的最小
时间等于t
RAS
或可保持在自刷新模式
对于超出无限期。自刷新
操作继续,只要CKE引脚保持为低电平
而且没有必要对任何其它管脚的外部控制。
下一个命令之前,无法在设备中执行
内部回收期(T
rc
)是否已经过去。一旦CKE
变高时,必须出具的NOP指令(最低
两个时钟)为完成任何时间提供
内部更新正在进行中。自刷新后,由于它
是不可能的,以确定要在最后一行的地址
被刷新,自动刷新,应立即
执行用于所有地址。
加载模式寄存器
在加载模式寄存器命令模式
register is loaded from A0-A11. This command can only
当所有银行都空闲的发行。
主动命令
当激活的命令被激活, BA0 , BA1
输入选择一组将被访问,并且地址
inputs on A0-A11 selects the row. Until a PRECHARGE
命令被发送到银行,该行保持打开
对于访问。
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com
REV 。一
03/19/08
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