IS42S16400F
IC42S16400F
功能
（详细）
A0-A11 are address inputs sampled during the ACTIVE
（行地址A0 -A11 ）和读/写命令（ A0 -A7
与A10定义自动预充电） 。在A10采样
预充电命令，以确定是否所有银行都来
预充电（ A10 HIGH）或选择BA0银行，
BA1 (LOW). The address inputs also provide the op-code
在一个加载模式寄存器命令。
银行选择地址（ BA0和BA1 ）定义了银行
在ACTIVE ，读，写或预充电命令
被应用。
CAS ，
在与结合
RAS
和
WE ，
形成设备
命令。请参阅“命令真值表”的细节
设备的命令。
在CKE输入确定的CLK输入是恩
体健。 CLK信号的一个上升沿将是有效的
当CKE是高的，无效时低。当CKE为
低电平时，器件会在两种省电模式，时钟
挂起模式时，或自刷新模式。 CKE是
异步输入。
CLK是主时钟输入此设备。以外
CKE ，所有输入到该设备中的同步采集
和灰与该引脚的上升沿。
在CS输入决定输入的命令是否是恩
在装置内禁止。指令输入时启用
CS
低，与残疾人
CS
为HIGH 。该装置
保持在以前的状态时
CS
is HIGH. DQ0 to
DQ15 are DQ pins. DQ through these pins can be controlled
在使用LDQM和UDQM销字节单位。
LDQM和UDQM控制的下部和上部的字节
在DQ缓冲区。在读模式， LDQM和UDQM控制
输出缓冲器中。当LDQM或UDQM为低电平时，
相应的缓冲区字节使能， HIGH的时候，
禁用。输出进入高阻抗状态
当LDQM / UDQM高。此功能对应
to
OE
在传统的DRAM 。在写入模式下， LDQM和
UDQM控制输入缓冲器。当LDQM UDQM或者是
低，相应的缓冲器字节使能，和数据
可以被写入到该设备。当LDQM UDQM或者是
高电平时，输入数据被屏蔽，并且不能写入到
装置。
RAS ，
与联
CAS
和
WE
，形成器件
命令。请参阅“命令真值表”项目详细信息
在设备的命令。
WE
在与结合
RAS
和
CAS
，形成器件
命令。请参阅“命令真值表”项目详细信息
在设备的命令。
V
DDQ
是输出缓冲器的电源。
V
DD
是设备内部电源。
GND
q
是输出缓冲器地面。
GND是设备内部的地面上。
4
读
The READ command selects the bank from BA0, BA1 inputs
并启动突发读取访问活动行。输入
A0-A7 provides the starting column location. When A10 is
HIGH ，这个命令的功能为自动预充电
命令。当选择了自动预充电，行
被访问在读的结尾将预充电
爆裂。该行将继续开放，供后续访问
当自动预充电没有被选中。 DQ的读
资料如有逻辑电平上的DQM输入2
时钟更早。当给定信号DQM注册
高，相应的DQ的将是高阻两个时钟
后来。 DQ公司将提供有效数据时， DQM信号
注册LOW 。
写
突发写入访问活动行启动与
写命令。 BA0 ， BA1输入选择银行，
并且起始列的位置由输入提供
A0 -A7 。不管是不是自动预充电时是
通过A10决定。
被访问的行会在年底进行预充电
在写突发，如果自动预充电选择。如果
自动预充电没有被选择，则该行仍将
打开后续访问。
存储器阵列中写入相应的输入数据
DQ上的和DQM的输入逻辑电平出现在同一
时间。数据将被写入存储器时， DQM信号是
低。当DQM为高电平时，相应的数据输入端
将被忽略，并且一写将不会被执行到
字节/列位置。
预充电
在预充电命令用于停用
开行特定的银行或开行的所有银行。
BA0, BA1 can be used to select which bank is precharged
或者他们被视为“无关” 。 A10确定
一个或所有银行是否被预充电。 execut-后
荷兰国际集团这个命令，并且使用所选择的下一个指令
银行（多个）的周期t的流逝之后被执行
RP
，这
需要银行预充电的时间。一旦银行
已经被预充电，它是在空闲状态中，并且必须
任何读取或写入的命令是之前被激活
颁发给该银行。
自动预充电
在自动预充电功能，保证了预
电荷开始在一个脉冲串内的最早的有效阶段。
此功能允许个人银行预充电，而不
requiring an explicit command. A10 to enables the AUTO
预充电功能结合特定的读
或写命令。对于每个单独的READ或WRITE
命令，自动预充电是已启用或禁用。
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REV 。一
03/19/08
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