IS42S16400F
IC42S16400F
1梅格位×16位× 4银行（ 64兆位）
同步动态RAM
特点
•时钟频率： 200 ， 166 ， 143 MHz的
•完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
•隐藏行存取/预充电银行内部
•单3.3V电源
• LVTTL接口
•可编程突发长度
- （ 1，2， 4，8，全页）
•可编程突发序列：
顺序/交错
•自刷新模式
• 4096刷新周期每64毫秒
•随机列地址每个时钟周期
•可编程CAS延迟时间（ 2 ， 3个时钟）
•突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
•突发终止突发停止和预充电
命令
•字节由LDQM和UDQM控制
•包装： 400万54针TSOP II
•无铅封装可用
•可在工业级温度
•请联系产品经理的信息
化移动功能（掉电和深度
掉电模式下，部分阵列自刷新，
温度补偿自刷新，输出
驱动强度选择）
2008年3月
IC42S16400F are organized as 1,048,576 bits x 16-bit x
4-bank for improved performance. The synchronous DRAMs
使用流水线架构实现高速数据传输。
所有输入和输出信号的参考上升沿
时钟输入。
概观
ISSI
的64Mb的同步DRAM IS42S16400F和
销刀豆网络gurations
54引脚TSOP （ II型）
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
GNDQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
GNDQ
DQ7
VDD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
GND
DQ15
GNDQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
GNDQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
GND
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A11
BA0, BA1
DQ0 to DQ15
CLK “
CKE =
CS
RAS =
CAS
地址输入
银行选择地址
数据I / O
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
列地址选通命令
WE
LDQM
UDQM
V
DD
GND¤
V
DD
q
GND
q
NC
写使能
低再见，输入/输出面膜
上再见，输入/输出面膜
动力
地
电源的DQ引脚
地面DQ引脚
无连接
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REV 。一
03/19/08
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
