欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

46DR83200A 参数 Datasheet PDF下载

46DR83200A图片预览
型号: 46DR83200A
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 32Mx8 , 16Mx16 DDR2 DRAM [32Mx8, 16Mx16 DDR2 DRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 48 页 / 1489 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
 浏览型号46DR83200A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号46DR83200A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号46DR83200A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号46DR83200A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号46DR83200A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号46DR83200A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号46DR83200A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号46DR83200A的Datasheet PDF文件第9页  
IS43 / 46DR83200A , IS43 / 46DR16160A
引脚说明表
符号
CK ,
CK
TYPE
输入
功能
时钟: CK和
CK
是差分时钟输入。所有的地址和控制输入信号
采样于CK的上升沿和下降沿的交叉
CK 。
输出(读取)数据被引用到CK的口岸和
CK
(两个方向
交叉) 。
时钟使能: CKE高激活,并且CKE低停用,内部时钟信号
与设备的输入缓冲器和输出驱动器。以CKE LOW提供预充电
掉电和自刷新操作(所有银行闲置) ,或Active掉电(行
在任何银行ACTIVE ) 。 CKE是同步的POWER DOWN进入和退出,自
刷新条目。 CKE是异步的自刷新退出。之后VREF已成为
上的电源和初始化序列期间稳定的,它必须被保持
所述CKE接收器的正确操作。对于正确的自刷新出入境, VREF
必须保持到该输入端。 CKE必须保持高通量和读
写访问。输入缓冲器,但不包括CK ,
CK ,
ODT和CKE是在禁用
掉电。输入缓冲器,除CKE ,是在自刷新无效。
芯片选择:所有的命令都被屏蔽时,
CS
注册HIGH 。
CS
在具有多个队伍系统外部排名的选择。
CS
被认为是部分
命令代码。
片上终端: ODT (注册HIGH )使终端电阻内部
到DDR2 SDRAM 。当启用时, ODT被施加到每个DQ , DQS ,
的DQ ,
DM
信号。如果电子病历(1 )被编程为禁用的ODT的ODT管脚将被忽略。
输入命令:
RAS , CAS
WE
(随着
CS )
定义命令是
输入。
输入数据掩码: DM是输入掩码信号写入数据。输入数据被屏蔽
当DM是在写访问取样与输入数据的高重合。 DM
被采样的DQS的两个边缘。虽然DM引脚的输入而已, DM装
匹配DQ和DQS装载。对于x8的,糖尿病的功能由EMRS启用
命令到EMR (1) 〔A11〕 。
银行地址输入: BA0 - BA1确定哪个银行的积极,读,写或
预充电命令被应用。银行地址也确定模式
寄存器或扩展模式寄存器中的一个是在一个MRS或要被访问
EMRS指令周期。
地址输入:提供行地址激活命令和列
地址和自动预充电位读/写命令,选择一个位置
在各个银行的存储器阵列。在一个预充电A10被采样
命令,以确定是否预充电适用于一个银行(A10低)或所有
银行(A10高) 。如果只有一家银行被预充电,该行被选中BA0 -
BA1 。地址输入也是在MRS或EMRS命令提供的操作码。
CKE
输入
CS
输入
ODT
RAS , CAS , WE
输入
输入
DM ( X8 )或
UDM , LDM ( X16 )
输入
BA0 - BA1
输入
A0 - A12
输入
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com
Rev. D的
08/16/2012
3